静态和动态RAM芯片特性

　　　　　　　 SRAM　　　 DRAM
存储信息 　　　触发器 　　电容
破坏性读出　　 非 　　　　是
需要刷新　　　 不要 　　　需要
送行列地址　　 同时送 　　分两次送
运行速度　　　 快　　　　 慢
集成度　　　　 低 　　　　高
发热量　　　　 大　　　　 小
存储成本　　　 高 　　　　低

动态存储器读写原理

　　动态存储器，是用金属氧化物半导体（MOS）的单个MOS管来存储一个二进制位（bit）信息的。信息被存储在MOS管T的源极的寄生电容C_S中，例如，用C_S中存储有电荷表示1，无电荷表示0。

写 1 ：使位线为低电平，若C_S上无电荷，则 VDD 向C_S充电； 把 1 信号写入了电容C_S中。
若C_S上有电荷，则C_S的电荷不变，保持原记忆的 1 信号不变。

写 1 ：使位线为低电平，若C_S上无电荷，则 VDD 向C_S充电； 把 0 信号写入了电容C_S中。
若C_S上有电荷，则C_S的电荷不变，保持原记忆的 0 信号不变。

读操作： 首先使位线充电至高电平，当字线来高电平后，T导通，
① 若 C_S 上无电荷，则位线上无电位变化 ，读出为 0 ；
② 若 C_S 上有电荷，则会放电，并使位线电位由高变低， 接在位线上的读出放大器会感知这种变化，读出为 1。

动态存储器读写原理

破坏性读出：读操作后，被读单元的内容一定被清为零，必须把刚读出的内容立即写回去，通常称其为预充电延迟，它影响存储器的工作频率，在结束预充电前不能开始下一次读。
要定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断路状态，由于漏电的存在，保存在电容C_S上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，通常称其为刷新操作。刷新不是按字处理，而是每次刷新一行，即为连接在同一行上所有存储单元的电容补充一次能量。刷新周期一般为2ms，刷新有两种常用方式：
·集中刷新，停止内存读写操作，逐行将所有各行刷新一遍；
·分散刷新，每隔一定时间段，刷新一行，各行轮流进行。
信号序关系：结论性内容参考P203。

静态存储器存储原理

静态存储器（SRAM）是用触发器线路记忆和读写数据的，通常用6个MOS管组成存储一位二进制信息的存储单元。其中4个MOS管组成两个反相器，输入输出交叉耦合构成一位触发器，记忆一位二进制信息。

存储器的组织

用1024×1位的芯片组成1KB RAM

存储器的组织

用256×4位的芯片组成1KB RAM