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第四章 半导体二极管、三极管和场效应管
4.3.1 双极型晶体管
双极型晶体管可简称为晶体管，或半导体三极管，用BJT（Bipolar Junction Transistor）来表示。
一 晶体管的结构和类型
1. 晶体管类型:
按材料分：
硅晶体管
,
锗晶体管
, 按结构分：
PNP型
,
NPN型
2. 晶体管的原理结构图和符号:
三个区:
集电区，基区，发射区
二个结:
集电结，发射结
三根引线:
集电极，基极，发射极
3.晶体管在结构上必须具有下面特点:
（1） 发射区掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度大于基区掺杂浓度
（2） 基区必须很薄，一般只有几微米。
二 晶体管的电流分配问题和放大作用
晶体管放大作用必须满足的条件:
内部条件:
晶体管结构上的特点
外部条件:
晶体管的发射结加正向电压,集电结加反向电压。P区接正,N区接负;
N区
接正,P区接负。
（一）晶体管内部载流子的运动
1.发射区向基区注入电子的过程
载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流i
E
≈i
En
.
2.电子在基区的扩散过程
注入的电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成i
B
，绝大部分扩散到集电结边界。
3.电子被集电级收集的过程
电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成i
Cn
. 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成I
CBO
。
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