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第四章 半导体二极管、三极管和场效应管
4.3.4 双极型晶体管
（2）PNP型锗晶体管和NPN型硅晶体管输入特性:
1.PNP型管，其电压极性、电流方向与NPN型管不同。正常工作时，PNP型管电流为正值；电压为负值。
2.锗管死区电压比硅管小，硅管放大工作时uBE约为0.6~0.8V，而锗管uBE约为-0.2V~-0.3V。
（二）共射输出特性:
晶体管的三个区:
1.截止区
：发射结反偏。
2.饱和区
：发射结正偏，集电结也正偏。
U
CE
<U
C
ES
饱和压降
3.放大区
：发射结正偏，集电结反偏。
i
C
只随i
B
的变化而变化，表现了i
B
对
i
C
的控制作用。
四、晶体管的主要参数:
（一）电流放大系数
1.共射直流电流放大系数
2.共射交流电流放大系数β：
3.共基直流电流放大系数和共基交流放大系数:
根据晶体管电流的分配关系:
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