2. 杂质半导体分为N型和P型半导体，N型半导体中电子是多子，P型半导体中空穴是多子，而且多子主要是由掺杂形成的，少子是由本征激发产生的。

3. PN结是由P型区和N型区相结合形成的，具有单向导电性，是组成多种半导体器件的基础。

4. 半导体二极管的核心是一个PN结，二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，可分为正向特性、反向特性和反向击穿特性三部分。由正向特性和反向特性所体现的单向导电性是二极管的基本性能。稳压管是利用反向击穿特性进行稳压的一种特殊二极管。二极管等效电路的近似计算方法是分析二极管电路的主要方法。

5. 晶体管是利用基极电流iB（或发射极电流iE）来控制集电极电流iC的电流控制器件，有ΔiC=βΔiB。场效应管则利用栅源电压uGS来控制漏极电流iD的电压控制器件，有ΔiD=gmβΔuGS。它们的放大作用实质上就是上述的控制作用。

6.晶体管和场效应管具有放大作用，除了内部结构条件之外，还必须有一定的外部条件。对于晶体管，必须使其发射结正向偏置，集电结反向偏置；对于场效应管，则由管子类型不同、需要不同的偏置条件。

7.晶体管的伏安特性主要有输入特性和输出特性。输入特性与二极管的输入特性相似，输出特性分为饱和区、放大区和截止区。场效应管的伏安特性主要有转移特性和输出特性。其输出特性与晶体管的输出特性类似，分为可变电阻区、饱和区和截止区。在放大电路中工作的晶体管（或场效应管）一般应工作在输出特性中的放大区（或饱和区）。

8.晶体管与场效应管的结构和工作原理是不同的，因此各有特点，例如晶体管的β值一般较大，而场效应管的gm值相对较低；晶体管的输入电阻低，而场效应管的输入电阻高等，使用时应注意。