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第四章 半导体二极管、三极管和场效应管
4.4.5 场效应晶体管
（一）工作原理
1. u
GS
对导电沟道的影响：
栅源级间加反向电压
改变u
GS
的大小，就可以改变沟道宽窄，即改变沟道的电阻，从而控制i
D
的大小。这与绝缘栅场效应管是一样的。
2. u
DS
对导电沟道的影响：
漏源级间加正向电压
漏级电位最高，PN结最宽，源级电位最低，PN结最窄。随着u
DS
增大，PN结加宽，将产生预夹断。
u
DS
再增大，夹断区向下发展。
——> 看动画演示
（二）特性曲线：
三、场效应管的特点：
场效应管与双极型晶体管相比：
（１）场效应管中，导电过程是多数载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。
（２）场效应管是通过栅极电压u
GS
来控制漏极电流i
D
，称为电压控制器件；双极型晶体管是利用基极电流i
B
（或射极电流i
E
）来控制集电极电流i
C
，称为电流控制器件。
（３）场效应管的输入电阻很大；晶体管的输入电阻较小。
（４）场效应管的跨导g
m
的值较小，双极型晶体管的β值很大。在同等条件下，场效应管的放大能力不如晶体管高。
（５）结型场效应管的漏极和源极可以互换使用，MOS管如果衬底没有和源极接在一起，也可将d、s极互换使用；双级型晶体管的c和e极互换则称为倒置工作状态，此时β将变得非常小。
（6）场效应管可作为压控电阻使用。
(7）场效应管是依靠多子导电，因此具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。
场效应管还有一些
缺点
：如功率小，速度慢等。但由于它工艺简单，易于集成，故广泛应用于集成电路。
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