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（三）N沟道增强型MOS管的主要参数 |
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1.直流参数 |
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（1）开启电压UT：在衬底表面感生出导电沟道所需的栅源电压。实际上是在规定的uDS条件下，增大uGS，当iD达到规定的数值时所需要的uGS值。
（2）直流输入电阻RGS：在uDS=0的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅源极间的直流电阻。
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2.交流参数 |
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（1）跨导gm |
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（2）极间电容：栅、源极间电容Cgs和栅、漏极间电容Cgd，它影响高频性能的交流参数，应越小越好。 |
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3.极限参数 |
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（1）漏极最大允许电流IDM |
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是指场效应管工作时，允许的最大漏极电流。 |
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（2）漏极最大耗散功率PDM |
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是指管子允许的最大耗散功率，相当于双极型晶体管的PCM。 |
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（3）栅源极间击穿电压U(BR)GS |
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是指在uDS=0时，栅源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的uGS值。击穿将会损坏管子。 |
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（4）漏源极间击穿电压U(BR)DS |
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是指在uDS增大时，使iD开始急剧增加的uDS值。此时不仅产生沟道中的电子参与导电，空间电荷区也发生击穿，使电流增大。 |
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