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小结
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第四章 半导体二极管、三极管和场效应管
4.4.2 场效应晶体管
（3）漏源电压u
DS
对漏极电流i
D
的影响
当u
DS
较小，
即u
GD
>>U
T
时，沟道宽度受u
DS
的影响很小，沟道电阻近似不变，
i
D
随u
DS
的增加呈线性增加。
当u
DS
增大时，沟道各点与栅极间电压不等，使沟道从源极向漏极逐渐变窄。随着u
DS
增大，沟道电阻迅速增大，i
D
不再随u
DS
线性增大。
继续
增大u
DS
，则u
GD
<U
T
，夹断区增加，增加的u
DS
电压几乎全部降落在夹断区上，所以
u
DS
虽然增加而电流基本上是恒定的。
（二）N沟道增强型MOS管的特性曲线
1.输出特性
输出特性是指u
GS
为一固定值时，i
D
与u
DS
之间的关系，即
（1）可变电阻区（非饱和区）
Ⅰ区对应预夹断前，u
GS
>U
T
，u
DS
很小，u
GD
>U
T
的情况。
（2）恒流区（饱和区）
Ⅱ区对应 预夹断后，u
GS
>U
T
，u
DS
很大，u
GD
<U
T
的情况。
（3）截止区
该区对应于u
GS
≤U
T
的情况
2.转移特性
转移特性是指u
DS
为固定值时，i
D
与u
GS
之间的关系，即
特点：
当FET工作在恒流区，不同u
DS
的转移特性曲线基本接近。
（U
GS
>U
T
）
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