|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
（四）N沟道耗尽型MOS管 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.工作原理 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiO2绝缘层中掺入大量的正离子。在uGS=0时，P衬底表面已经出现反型层，存在导电沟道。
当uGS>0时感生沟道加宽，iD增大。
当uGS<0时感生沟道变窄，iD减小。
当uGS达到某一负电压值UP时，抵消了由正离子产生的电场，导电沟道消失，iD≈0，UP称为夹断电压。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
|
|
|
2.特性曲线 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.主要参数 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
（1）夹断电压UP：是指导电沟道完全夹断时所需的栅源电压。
（2）零偏漏极电流IDSS：该电流为uDS在恒流区范围内，且uGS=0V时的iD值，亦称饱和漏极电流。 |
|
|
|
|
|
| 二、结型场效应管 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
当uGS=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也属于耗尽型场效应管。 |
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
N沟道结型场效应管： |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
